薄膜介電常數(shù)以及介電損耗的測(cè)試：

本文中所制備的薄膜在蒸鍍鋁電極后采用航天縱橫ZJD-C型介電常數(shù)儀器，測(cè)試其等效電容以及損耗頻譜，頻率范圍為 100KHz-5MHz，分別取樣點(diǎn)為100 KHz，200 KHz，400 KHz，800 KHz，1MHz，2 MHz，3 MHz，4 MHz，5 MHz；根據(jù)式（2-2）算得相應(yīng)的介電常數(shù)，其中薄膜的厚度采用數(shù)顯千分尺測(cè)得，電極為方形，測(cè)量蒸鍍電極的邊長(zhǎng)便可求的電極面積，需要注意的是此電極面積是薄膜上下兩個(gè)背電極的重疊面積。 

薄膜擊穿電壓的測(cè)試 :

本論文中所制備的薄膜均采用中航時(shí)代生產(chǎn)的ZJC-5KV耐壓測(cè)試儀測(cè)試其擊穿電壓；由于薄膜的擊穿電壓隨薄膜質(zhì)量好壞的變化很明顯，即便是在同一條件下制得的薄膜不同區(qū)域的擊穿電場(chǎng)都會(huì)有所不同 ，因此選定薄膜的 5 個(gè)不同區(qū)域，分別測(cè)試并求其平均值近似作為此薄膜的擊穿電壓，通過式將得到的擊穿電壓除以相應(yīng)區(qū)域薄膜的厚度即可得到對(duì)應(yīng)薄膜的擊穿電場(chǎng)；耐壓測(cè)試儀最高電壓可達(dá)到 8000V，升壓速率設(shè)定為 50V/s。 

本文主要介紹了通過溶液流延法制備純 PVDF 薄膜以及 PVDF/BaTiO3復(fù)合薄膜的具體工藝流程及相關(guān)實(shí)驗(yàn)參數(shù)，最后簡(jiǎn)要介紹了本文中所要用到的薄膜介電性能測(cè)試方法及其具體參數(shù)設(shè)置。